化学气相沉积的 CVD Selenide® 是用作高功率 CO2 激光器光学元件的主要材料，因为它在 10.6 µm 处的体积吸收较低。其折射率的均匀性和均匀性提供了出色的光学性能，可用作高分辨率前视 (FLIR) 热成像设备中的保护窗或光学元件。

锗化合物和产品是在从原材料到半导体基板的生产流程的各个阶段产生的。从氯化锗精矿提纯为 GeCl4 开始，GeCl4 水解为 GeO2，GeO2 还原为 Ge 棒。Ge 晶体使用 Czochralski 拉晶法生长，并进一步加工成高纯度晶体或 Ge 半导体晶片。

Hellma 氟化钡在高达 12µm 的可见光和红外光谱范围内具有出色的透射率。
这允许使用 BaF2 作为可见光和热成像的 VIS 和 IR 双通道系统中的宽带光学材料。
BaF2 的折射率低于许多其他光学材料。这减少了由菲涅尔反射引起的传输损失。

硫化锌的断裂强度是硒化锌的两倍，硬度高。