UMICORE单晶锗
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UMICORE单晶锗

锗化合物和产品是在从原材料到半导体基板的生产流程的各个阶段产生的。从氯化锗精矿提纯为 GeCl4 开始,GeCl4 水解为 GeO2,GeO2 还原为 Ge 棒。Ge 晶体使用 Czochralski 拉晶法生长,并进一步加工成高纯度晶体或 Ge 半导体晶片。
状态:
数量:
  • UMICORE单晶锗

  • UMICORE

  • CLASER XS013#

总体介绍:

UMICORE拥有超过40年的锗晶体拉制经验,是全球为数不多的能够拉制无错位锗锭的工厂之一。直径范围为 4' 至 12' (100 -- 300mm)。

由于锗和砷化镓具有紧密匹配的热学和晶体学特性,因此外延准备好的锗衬底为 III-V 族化合物的外延生长和/或层转移提供了新的选择。

为了正确地成核,晶圆被精确地“切割”到正确的方向并进行了表面清洁。为确保原始生长表面,所有生产步骤都使用统计过程控制进行密切监控,并对晶圆进行仔细检查。


主要优势:  

1. 晶体沿(100)晶向生长

2. 外晶表面为生长或外圆磨削(表面粗糙度为2.5um RMS)

3. 通过红外热像仪检测,保证晶体的稳定性

4. 完美结晶,用途广泛


主要应用:  

1. 太阳能电池  

2. LED及光电器件  

3. 错误使用VCSEL(垂直腔面发射激光器)  

4. 聚光光伏(CPV)  

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